包括彼此耦接的栅和阴极的光电器件

摘要

光电器件(100)包括：第一p掺杂半导体层(106)和第二n掺杂半导体层(108)，它们叠置并形成p‑n结；第一电极(122)，电连接到第一半导体层并形成器件的阳极；栅(118)，抵靠第一半导体层的至少一个侧面定位；第二电极(128)，抵靠第二半导体层的侧面定位，电连接到第二半导体层并与第一半导体层电隔离，其中第二电极的一部分(132)抵靠所述栅定位，使得第二电极电连接到所述栅并形成所述器件的栅电极和阴极。