一种JTE内嵌多沟槽复合终端结构功率器件及制作方法

摘要

本发明公开了JTE内嵌多沟槽复合终端结构功率器件及制作方法；自上而下依次层叠设置有P型区、外延层、衬底层和阴极，阳极设置在P型区；在外延层的上方设置有P+区和JTE，所述P+区和所述JTE的一端连接；所述JTE顶部设置有若干个沟槽环，所述沟槽环中填有High‑K介质。本申请的新型复合终端耐压结构工艺简单，对JTE浓度敏感性降低，同时能提高器件终端的耐压能力和减少所需耐压终端的芯片面积；同时终端的N型抗浪涌电流增强层Surge layer在正向导通时大的浪涌电流下还能起到分流作用，增强器件的抗浪涌电流能力。