基于可调同质结场效应器件的人工突触电路及实现方法

摘要

本发明公开了一种基于可调同质结场效应器件的人工突触电路及该电路功能的实现方法，所述电路包括第一可调同质结场效应器件M1、第二可调同质结场效应器件M2、第三可调同质结场效应器件M3以及电容元件C，其中，可调同质结场效应器件在栅极电压的调控下可以表现出NN结，PP结，PN结和NP结所具有的电学特性，电路中器件M2和器件M3的导通状态由仿突触前脉冲和仿突触后脉冲的共同作用决定；相比于传统MOS电路方案展示脉冲时间依赖可塑性和脉冲对突触权重连续调节的神经突触功能的电路结构，本方案中的电路所需的器件数目得到极大地减少，并且表现出了可重构功能的特点，在构建面向未来神经形态应用的低功耗高密度集成仿生芯片方面展现出很大的优势。