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公开/公告号CN111711364A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-25
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202010588499.8
发明设计人 罗萍;邓成达;唐天缘;周先立;
申请日2020-06-24
分类号H02M3/335(20060101);H02M1/32(20070101);
代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人葛启函
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 08:23:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-21
授权
发明专利权授予
机译: 自适应前沿消隐电路
机译: 用于开关模式功率转换器的自适应前沿消隐电路和方法
机译:电路提供前沿消隐
机译:快速IGBT去饱和短路保护的自适应消隐时间电路
机译:基于子空间的自适应旁瓣消隐器
机译:基于V CE inf>测量的IGBT短路保护自适应消隐电路
机译:低成本,高精度DAC设计基于有序元素匹配和验证对模拟电路的不期望的操作点
机译:基于跌倒风险水平的深度传感器用户自适应跌倒检测技术的开发
机译:改进的自适应旁瓣消隐器
机译:使用时间反转镜的自适应混响消隐