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公开/公告号CN111708188A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中电科技德清华莹电子有限公司;
申请/专利号CN202010570977.2
发明设计人 温旭杰;王少葳;华平壤;宋伟;崔坤;卢明达;徐佳俊;王旭;
申请日2020-06-22
分类号G02F1/125(20060101);G02F1/00(20060101);
代理机构33230 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙);
代理人郭薇
地址 313000 浙江省湖州市德清县武康志远北路188号
入库时间 2023-06-19 08:23:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-09-26
授权
发明专利权授予
机译: 一种由此在压力下调节铌酸锂或铌酸锂或钽酸锂的方法。钽酸锂-结构
机译: 铌酸锂锂和钽酸锂的偏振控制方法及该光波导装置的制造方法及光波导装置
机译: 铌酸锂和钽酸锂的极化控制方法及用该方法生产的光波导装置和光波导装置
机译:激光烧蚀结合离子注入法制备钽酸钾铌酸钾锂晶体的波导结构
机译:分子束外延生长氧化钽和钽酸锂薄膜
机译:热光度对电光调制器中双折射的影响:钽酸锂的应用
机译:用铌酸钽酸钾锂抑制电光调制器的光学损伤
机译:锂掺杂铌酸钽酸钾(KTN)薄膜的沉积和表征。
机译:铌酸锂和钽酸锂的通道波导
机译:薄膜锂铌酸锂100-GBD波导布拉格光栅调制器
机译:铌酸锂 - 钽酸锂中的波导。