采用质子交换方法在渐变周期极化钽酸锂上形成光波导量子芯片的方法

摘要

本发明涉及一种采用质子交换方法在渐变周期极化钽酸锂上形成光波导量子芯片的方法，属于光电子器件制备方法领域，包括以下步骤：将渐变周期极化钽酸锂衬底进行清洗；在衬底表面依次镀制钛膜和铬膜；在铬膜表面进行紫外光刻，形成质子交换用掩膜样品；将得到的样品进行200～300摄氏度质子交换，形成条形光波导；对垂直于光波导的两个端面进行光学研磨、抛光；对波导进行通光实验以测试光波导性能；将抛光后的两个端面进行光纤端面耦合和紫外胶固化，光纤跳线两端分别作为输入和输出端，制备出光量子芯片。本发明能够制备出高性能、低传输损耗、微米量级且较好保持晶体非线性的光波导芯片，晶体非线性调谐范围宽。