复合烧结体、半导体制造装置部件及复合烧结体的制造方法

摘要

复合烧结体的制造方法具备：将混合Al2O3、SiC以及MgO而得到的混合粉末成型为规定形状的成型体的工序(步骤S11)、以及将该成型体烧成而生成复合烧结体的工序(步骤S12)。并且，步骤S11中，SiC相对于混合粉末的比例为4.0重量％以上且13.0重量％以下。另外，步骤S11中的Al2O3的纯度为99.9％以上。由此，能够抑制Al2O3的异常粒生长，并且，能够很好地制造具有高相对介电常数及耐电压、以及低tanδ的复合烧结体。