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公开/公告号CN111697127A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-22
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学;
申请/专利号CN202010384553.7
发明设计人 王子路;赵巍胜;曹凯华;乔俊峰;
申请日2020-05-08
分类号H01L43/02(20060101);H01L43/08(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人王涛;汤在彦
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
入库时间 2023-06-19 08:20:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-12
授权
发明专利权授予
机译: 用于自旋转移矩磁阻随机存取存储器的磁性隧道结器件的磁性蚀刻停止层
机译: 用于自旋转移矩MRAM器件的双重图案化和蚀刻磁性隧道结结构的方法
机译:磁力显微镜揭示远程分子对基于磁性隧道结的分子自旋电子器件的影响
机译:基于磁性隧道结的分子自旋电子器件在室温下表现出电流抑制
机译:通过连续自由层连接的磁性隧道结的制造,以实现自旋逻辑器件
机译:自旋电子器件的制造-通过电阻测量来测量磁性隧道结的蚀刻终点
机译:基于磁性隧道结的自旋电子逻辑器件
机译:太阳能驱动的自旋电子器件:用于太阳能驱动的自旋电子器件的界面磁性的阳光控制(Adv。Sci。24/2019)
机译:外延MgO隧道势垒磁性隧道结器件中的自旋相关隧道势导
机译:用于磁性器件的新型磁性金属氧化物薄膜和碳纳米管材料的开发。