具有带有堤状构造的管芯焊盘的半导体器件

摘要

公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在该半导体衬底中的功率晶体管，该功率晶体管包括其中形成有一个或多个功率晶体管单元的有源区；形成在半导体衬底上方并且基本上覆盖功率晶体管的所有有源区的第一金属焊盘，第一金属焊盘电连接到功率晶体管的有源区中的源极或发射极区域，第一金属焊盘包括内部区域，该内部区域由外围区域横向包围，该外围区域比内部区域厚；以及通过管芯附接材料附接到第一金属焊盘的内部区域的第一互连板或半导体管芯。还描述了对应的制造方法。