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一种具有高耐磨性与抗辐照性能的二硫化钼/钇稳定氧化锆复合薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有高耐磨性和抗辐照性能的二硫化钼/钇稳定氧化锆复合薄膜(MoS2/YSZ)的制备方法,是先采用射频磁控溅射物理气相沉积技术制备MoS2/YSZ复合薄膜,然后将薄膜进行热退火处理,消除MoS2晶体在磁控溅射生长过程中的本征缺陷;得到的薄膜MoS2(002)取向择优,结晶性能良好,呈现出低摩擦、高耐磨性能(平均摩擦系数2×105转)和高耐磨抗辐照特性,实现了MoS2/YSZ基复合薄膜低摩擦与抗辐照自适应的一体化,因此,可用于反应堆及聚变堆辐照环境下机械运动部件的润滑。

著录项

  • 公开/公告号CN111663110A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010719235.1

  • 发明设计人 王鹏;程勇;段泽文;赵晓宇;

    申请日2020-07-23

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/58(20060101);C23C14/02(20060101);

  • 代理机构62201 兰州智和专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张英荷

  • 地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号

  • 入库时间 2023-06-19 08:17:40

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