公开/公告号CN111647853A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-11
原文格式PDF
申请/专利权人 邢义志;广东顺天光能源科技有限公司;
申请/专利号CN202010522518.7
发明设计人 邢义志;
申请日2020-06-10
分类号C23C14/08(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/58(20060101);
代理机构33212 杭州中成专利事务所有限公司;
代理人朱莹莹
地址 广东省珠海市香洲区兰浦路2号金珠花园15栋2单元802
入库时间 2023-06-19 08:14:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-18
专利申请权的转移 IPC(主分类):C23C14/08 专利申请号:2020105225187 登记生效日:20220930 变更事项:申请人 变更前权利人:邢义志 变更后权利人:邢义志 变更事项:地址 变更前权利人:519070 广东省珠海市香洲区兰浦路2号金珠花园15栋2单元802 变更后权利人:519070 广东省珠海市香洲区兰埔2路金钟花园15栋2单元802房 变更事项:申请人 变更前权利人:广东顺天光能源科技有限公司 变更后权利人:
专利申请权、专利权的转移
机译: 掺杂的氧化铟,氧化锡,高密度高导电率的氧化铟锌-氧化锡-氧化锡的目标组成及其制备方法
机译: 用APCVD制造掺杂锡和氟的氧化铟的高导电透明膜的方法和装置
机译: 还原型氧化石墨烯和碳纳米管的高导电薄膜的制备方法及其所制得的包含高导电薄膜的透明电极