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一种纳米级静电保护器件失效微区的表征方法

摘要

本发明公开了一种纳米级静电保护器件失效微区的表征方法,选取一个静电失效的纳米级静电保护器件,该器件对比失效前,在工作电压下测得漏电流发生突增,此为失效样品;通过激光扫描该器件表面,利用光致电阻的变化,定位缺陷位置,得到失效热点;根据失效热点,原位切割器件,通过SEM窗口实时观察并调整适合的束流大小,得到最有分析价值的失效TEM样品;最后通过TEM完成对失效区域原子级的表征,综合分析,找出失效机理。本发明对纳米级静电保护器件的内部失效微区精确定位并得到失效的高分辨图像和元素的信息,可以对失效部位进行有效的失效分析,得到失效机理,最终达到改进器件性能的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN111638237A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东师范大学;

    申请/专利号CN202010379580.5

  • 发明设计人 吴幸;陈新倩;徐何军;杨鑫;

    申请日2020-05-07

  • 分类号G01N23/2251(20180101);G01N23/2204(20180101);

  • 代理机构31215 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人徐筱梅;张翔

  • 地址 200241 上海市闵行区东川路500号

  • 入库时间 2023-06-19 08:11:16

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