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离子源及其清洁方法

摘要

本发明提供一种离子源及其清洁方法,该离子源在宽范围内向电极表面照射离子束来除去电极上的沉积物。一种离子源(1),向配置在等离子体容器(2)下游的抑制电极(3)照射由清洁气体生成的离子束(IB)来清洁抑制电极(3),其中,离子源(1)具有驱动机构(5),该驱动机构(5)调整等离子体容器(2)与抑制电极(3)之间的距离,离子源(1)包括控制装置(C),该控制装置(C)在进行清洁之前,控制驱动机构(5)而使抑制电极(3)或等离子体容器(2)向第一方向移动,扩大等离子体容器(2)与抑制电极(3)之间的距离。

著录项

  • 公开/公告号CN111640639A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日新离子机器株式会社;

    申请/专利号CN201911265284.6

  • 发明设计人 足立昌和;平井裕也;谷口智哉;

    申请日2019-12-11

  • 分类号H01J37/08(20060101);H01J37/32(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人季莹;方应星

  • 地址 日本京都

  • 入库时间 2023-06-19 08:11:16

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