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公开/公告号CN111628078A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN202010487655.1
发明设计人 陈大正;张春福;田百川;庞商政;朱卫东;樊刚;张进成;郝跃;
申请日2020-06-02
分类号H01L51/05(20060101);H01L51/30(20060101);H01L51/40(20060101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人王品华
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-06-19 08:11:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-06
授权
发明专利权授予
机译: 二氧化钛溶液,二氧化钛溶液的制备方法,钙钛矿型钛复合氧化物前驱体溶液和钙钛矿型钛复合氧化物的制备方法
机译: 混合的三维和二维钙钛矿及其制造方法
机译:基于无机钙钛矿量子点和有机半导体的易于溶液溶液工艺制造的光刺激突触晶体管
机译:的基于与半导体聚合物的复合膜的活性层的场效应晶体管的电流 - 电压特性的特征的纳米颗粒无机钙钛矿
机译:基于钙钛矿与化学改性石墨烯复合材料的固溶处理高性能光电晶体管
机译:二维/三维混合卤化铅钙钛矿复合薄膜的耐久性评价
机译:新兴三维和二维杂交卤化物钙钛矿:从合成到薄膜性能和太阳能电池性能
机译:基于介观石墨烯/钙钛矿异质结的横向结构化光晶体管
机译:基于旋转涂层制备的基于岛状钙钛矿薄膜的弱光刺激突触混合光学晶体管
机译:二维和三维siC / siNC陶瓷基复合材料的微观结构和力学性能。