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一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法,属于化学工程技术领域。一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:1)将LaNiO3前驱体溶液旋涂于基片上制得第一湿膜;2)将步骤1)所得的第一湿膜干燥、热解,晶化制得单层LaNiO3薄膜;3)重复步骤1)和步骤2),制得复合基底;4)将BCZT前驱体溶液旋涂于步骤3)制得复合基底上,制得第二湿膜;5)将步骤4)所得的第二湿膜干燥、热解,晶化制得单层BCZT薄膜;6)重复步骤4)和步骤5)制得多层BCZT薄膜。本发明可获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、储能密度值大、储能效率高和热稳定性良好等优点的薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN112071640A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广西大学;

    申请/专利号CN202010981817.7

  • 发明设计人 彭彪林;陆秋萍;

    申请日2020-09-17

  • 分类号H01G4/08(20060101);C23C26/00(20060101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人卢波

  • 地址 530004 广西壮族自治区南宁市大学东路100号

  • 入库时间 2023-06-19 08:06:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-16

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G 4/08 专利申请号:2020109818177 申请公布日:20201211

    发明专利申请公布后的驳回

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