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公开/公告号CN112071640A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-11
原文格式PDF
申请/专利权人 广西大学;
申请/专利号CN202010981817.7
发明设计人 彭彪林;陆秋萍;
申请日2020-09-17
分类号H01G4/08(20060101);C23C26/00(20060101);
代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人卢波
地址 530004 广西壮族自治区南宁市大学东路100号
入库时间 2023-06-19 08:06:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-16
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G 4/08 专利申请号:2020109818177 申请公布日:20201211
发明专利申请公布后的驳回
机译: 无铅铁电薄膜,无铅铁电薄膜和无铅铁电光学元件
机译: PZT PZT PZT基铁电薄膜的制备方法相同,PZT基铁电膜的制备方法相同
机译:基于多极结构协同效应的无铅弛豫铁电薄膜低电场下的高储能密度
机译:具有反铁电相和铁电相的高织构(111)取向的Pb0.8Ba0.2ZrO3弛豫薄膜中的大储能密度和高热稳定性
机译:具有纳米域的NaNbO_3基无铅弛豫反铁电陶瓷的超高储能密度
机译:铅基弛豫铁电材料的光折变效应
机译:新型无铅压电和弛豫铁电材料的研究
机译:钛酸铋钠基无铅陶瓷在宽温度范围内的高储能密度
机译:具有反铁电相和铁电相共存的高织构(111)取向的Pb0.8Ba0.2ZrO3弛豫薄膜中的大储能密度和高热稳定性
机译:纳米级研究弛豫铁电体中的偏振应变耦合和寻找新的弛豫材料用于传感器和光学应用