首页> 中国专利> 电容器的阵列、用于形成集成电路的方法,以及用于形成电容器的阵列的方法

电容器的阵列、用于形成集成电路的方法,以及用于形成电容器的阵列的方法

摘要

本申请涉及电容器的阵列、用于形成集成电路的方法,以及用于形成电容器的阵列的方法。一种用于形成集成电路的方法包括形成竖向穿过包括第一材料和第二材料的堆叠的结构的阵列。所述结构相对于所述第一材料的最外部分竖直地投影。能量被引导到所述结构的竖直地投影部分上并且到在与竖直成角度的且在紧邻的所述结构之间沿着直线的方向上的所述第二材料上以形成到所述第二材料中的开口,所述开口沿着所述直线单独地在所述紧邻结构之间。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。

著录项

  • 公开/公告号CN111987102A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN202010150099.9

  • 发明设计人 S·L·莱特;

    申请日2020-03-06

  • 分类号H01L27/11502(20170101);H01L49/02(20060101);H01L23/64(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-06-19 08:06:35

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号