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一种高灵敏手性分子探测表面

摘要

本发明涉及手性分子探测领域,具体提供了一种高灵敏手性分子探测表面,包括基底、磁性材料层、孔洞、贵金属层、贵金属底部,磁性材料层置于基底上,孔洞置于磁性材料层中,贵金属层置于磁性材料层的表面,贵金属底部置于孔洞的底部;应用时,在孔洞中设置待测手性分子,在外磁场作用下,圆偏振光倾斜照射磁性材料层,通过测量反射光实现手性分子探测。本发明具有手性分子探测灵敏度高的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN111982827A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山科立特光电科技有限公司;

    申请/专利号CN202010896955.5

  • 发明设计人 不公告发明人;

    申请日2020-08-31

  • 分类号G01N21/21(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港义路创意产业园区3号商务楼附楼2501卡(集群登记、住所申报)

  • 入库时间 2023-06-19 08:04:59

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