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类E类射频功率放大器

摘要

本发明公开了一种类E类射频功率放大器,两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源,第一MOS的剩余一端接地,接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的输入端口;接第一电感的MOS管的栅极与第一电容连接,第一电容的另一端接地;第一电阻一端接第一电容,另一端接VB;第二MOS的漏端依次串接第二电容以及第二电感后形成第二输出端,且第二输出端还通过一第四电容接地;第一MOS的漏端依次串接第三电容以及第三电感后形成第一输出端,且第一输出端还通过一第五电容接地。本发明每个MOS管均具有漏端输出,具有较强的输出功率,且实际占用的版图面积与传统的E类功率放大器的面积相当。

著录项

  • 公开/公告号CN109104161A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201810947079.7

  • 发明设计人 任江川;戴若凡;

    申请日2018-08-20

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人戴广志

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2023-06-19 07:57:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F3/193 申请日:20180820

    实质审查的生效

  • 2018-12-28

    公开

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