控制III-V型半导体器件中的晶片弯曲度的方法

摘要

本发明公开了控制III‑V型半导体器件中的晶片弯曲度的方法。提供具有主表面的IV型半导体衬底。在该IV型半导体衬底上方形成包括二维载流子气的III‑V型半导体沟道区域。在IV型半导体衬底和III‑V型半导体沟道区域之间形成III‑V型半导体晶格过渡区域，其被配置为减轻由于晶格失配而产生的机械应力。该III‑V型半导体晶格过渡区域包括在IV型半导体衬底上方形成的第一晶格过渡层，该第一晶格过渡层具有第一浓度的第一III族元素，在第一晶格过渡层上方形成的第二晶格过渡层，该第二晶格过渡层具有高于第一浓度的第二浓度的第一III族元素；以及在第二晶格过渡层上方形成的第三晶格过渡层，该第三晶格过渡层具有低于第一浓度的第三浓度的III族元素。