垂直磁化MTJ器件及STT-MRAM

摘要

本申请提供了一种垂直磁化MTJ器件及STT‑MRAM。该垂直磁化MTJ器件包括依次叠置设置的参考层、绝缘势垒层、自由层、增强层、去磁耦合层以及固定层，其中，参考层与固定层的磁化方向相反，增强层用于增强自由层的垂直磁各向异性，去磁耦合层用于隔离自由层与固定层。降低了临界写入电流，降低了STT‑MRAM芯片的能耗，同时也提高了数据的写入速率，并且，固定层可以抵消参考层作用在自由层上的散磁场，避免不同位元之间的相互干扰；另外，垂直磁化MTJ器件中的增强层可以增强自由层的磁各向异性，进而提高自由层的热稳定性。