垂直磁化的MTJ器件

摘要

本发明提供一种垂直磁化的MTJ器件，包括：依次叠置的热稳定增强层、自由层、隧道层以及固定层，其中，所述自由层的厚度与MTJ器件直径的比值为0.75～2；所述热稳定增强层具有相变特性，当温度低于相变温度时，所述热稳定增强层为反铁磁相，当温度高于相变温度时，所述热稳定增强层为铁磁相。本发明能够降低基于超小直径MTJ器件的STT‑MRAM的写入电流。