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一种单晶硅太阳能电池用新型陷光结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅太阳能电池用新型陷光结构的制备方法。将硅片RCA方法清洗后,再热生长二氧化硅作为光刻掩膜,进行匀胶、光刻、显影、刻蚀得到微纳米柱状小孔织构。本发明所制备的晶硅太阳能电池表面微纳米织构不引入稀贵金属离子,成本低廉、不会引起电池表面复合降低电池转换效率,且微纳米织构结构均匀、工艺重复性可控性好,适用于工业化生产。

著录项

  • 公开/公告号CN108987497A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 宁夏大学;

    申请/专利号CN201810809963.4

  • 发明设计人 马晓波;陈焕铭;杨利利;曹志杰;

    申请日2018-07-23

  • 分类号

  • 代理机构北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人逯长明

  • 地址 750001 宁夏回族自治区银川市西夏区贺兰山路489号

  • 入库时间 2023-06-19 07:38:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0236 申请日:20180723

    实质审查的生效

  • 2018-12-11

    公开

    公开

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