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公开/公告号CN108919407A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-30
原文格式PDF
申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;
申请/专利号CN201810759614.6
发明设计人 董水浪;谷新;郭康;路达;刘清召;赵磊;
申请日2018-07-11
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人彭久云
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
入库时间 2023-06-19 07:29:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-25
实质审查的生效 IPC(主分类):G02B5/30 申请日:20180711
实质审查的生效
2018-11-30
公开
机译: 使用滚筒式溅射机和纳米金属线栅制造纳米金属线栅的装置和方法,能够提高金属线栅薄膜的材料性能
机译: 金属线的制备方法和金属线栅的制备方法,线栅极化器和电子设备
机译: 用于纳米金属线栅和纳米金属线栅的保护涂层的气隙形成装置
机译:通过纳米压印和O_2等离子体刻蚀制备双层金属线栅偏振片
机译:使用双层亚波长金属线栅结构的极高消光比太赫兹宽带偏振片
机译:金属线栅与等离子线栅的比较
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:宽带隙透明钙钛矿Basno的金属线缺陷
机译:具有内置金属线栅电极的可调谐纳米结构复合材料
机译:分子金属线表面改性和纳米结制造。