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非对称模式扩展小发散角半导体激光器

摘要

一种非对称模式扩展小发散角半导体激光器,包括:衬底;缓冲层,形成于衬底之上;模式扩展层,形成于缓冲层之上;空间层,形成于模式扩展层之上;N型限制层,形成于空间层之上;下波导层,形成于N型限制层上;有源区,形成于下波导层上;上波导层,形成于有源区上;P型限制层,形成于上波导层上,与所述N型限制层的制备材料的掺杂浓度和厚度不同;第一上盖层,形成于P型限制层上;第二上盖层,形成于第一上盖层之上;第三上盖层,形成于第二上盖层上;以及欧姆接触层,形成于第三上盖层之上,通过上述非对称模式扩展小发散角半导体激光器以缓解现有技术中激光器输出光斑质量差,耦合效率低,损耗大,整形难等技术问题。

著录项

  • 公开/公告号CN108899761A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201810763094.6

  • 申请日2018-07-12

  • 分类号H01S5/20(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人李坤

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-06-19 07:24:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/20 申请日:20180712

    实质审查的生效

  • 2018-11-27

    公开

    公开

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