基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型层中掺杂的Mg的离化率低，导致二极管发光效率不高的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层、InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型层，其特征在于：p型层采用ScAlN/AlGaN超晶格结构，即ScAlN和AlGaN交替生长，每个ScAlN层和它上面的AlGaN层组合为一个周期，共生长10‑30个周期。本发明增大了p型层中掺杂的Mg的离化率，提高了发光二极管的发光效率，可用于制做高效率的紫外和深紫外发光设备。