法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-14
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B33/12 申请日:20180622
实质审查的生效
2018-11-20
公开
公开
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器
机译: 以及太赫兹波检测装置及其方法,以及利用太赫兹波产生半导体晶体的太赫兹波发生器,该晶体