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一种卤代稠环苝酰亚胺类电子传输材料的合成及其应用

摘要

本发明公开了一种卤代稠环苝酰亚胺类电子传输材料的合成及其应用,合成了一类卤代稠环的苝酰亚胺衍生物,具有以下特点和有益效果:(1)由于卤素原子有较强的电负性、噻吩/硒吩并苯的给电子效应,以及噻吩/硒吩并苯稠合的苝酰亚胺相对于苝酰亚胺具有的更大共辄体系,也使卤代的噻吩/硒吩并苯稠合的苝酰亚胺衍生物的有较高的电迁移率,可作为一类性能优异的电子传输材料;(2)卤代的稠环苝酰亚胺的bay位可以进一步引入其他基团修饰,并且酰亚胺的氮原子上也可以进一步引入其他取代基,为进一步的拓展提供条件。

著录项

  • 公开/公告号CN108840876A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810758799.9

  • 发明设计人 钟洪亮;丁奎;洪宇文;李其文;

    申请日2018-07-11

  • 分类号C07D495/22(20060101);C07D517/22(20060101);H01L51/54(20060101);

  • 代理机构11548 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李静

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2023-06-19 07:18:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):C07D495/22 申请日:20180711

    实质审查的生效

  • 2018-11-20

    公开

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