一种适用于集成电路的碳化硅平面型功率场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种适用于集成电路的平面型功率场效应晶体管，包括源极(1)、栅极(2)、漏极(3)、氧化层(4)、N+源区(5)、P+接触区(6)、P阱(7)、N‑栅下漂移区(8)、N外延层(9)、N+漏区(10)、N‑漏极下漂移区(11)和P衬底(12).本发明提出的碳化硅平面型功率场效应晶体管，通过对漂移区靠近栅极部分的掺杂浓度和厚度调节和在衬底靠近漏区部分进行低浓度N型掺杂，使器件击穿时电场分布非常均匀，没有特别陡峭的电场尖峰,使器件击穿电压得以提高。在漂移区长度为5μm的条件下，击穿电压达到1146V。本发明提出的碳化硅平面型功率场效应晶体管可作为功率集成电路中的开关器件使用。