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柔性透明聚酰亚胺衬底上的氮化铟镓薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造技术领域,提供了一种柔性透明聚酰亚胺衬底上的氮化铟镓薄膜及其制备方法,以聚酰亚胺为衬底,在聚酰亚胺衬底的一侧表面上,从内到外依次制备第一InxGa1‑xN缓冲层,石墨烯层,一维纳米导电材料层,第二InxGa1‑xN缓冲层,InxGa1‑xN外延层,其中第一InxGa1‑xN缓冲层、第二InxGa1‑xN缓冲层和InxGa1‑xN外延层均使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积方法低温制备,而石墨烯层和一维纳米导电材料层均使用旋涂方法制备,所制备的高质量InxGa1‑xN薄膜可用于制备氮化铟镓基太阳能电池、薄膜晶体管等柔性透明器件,具有广泛应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN108831823A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201810576913.6

  • 申请日2018-05-30

  • 分类号H01L21/02(20060101);C23C16/44(20060101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人温福雪;侯明远

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2023-06-19 07:17:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20180530

    实质审查的生效

  • 2018-11-16

    公开

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