法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20180530
实质审查的生效
2018-11-16
公开
公开
机译: 在硅衬底上制备氮化铟镓铝薄膜的方法
机译: 在用于生产激光二极管的衬底上的氮化物层的生产包括汽化镓原子和铝和/或铟原子,并在汽化过程中用氮原子辐照衬底
机译: 这使得可以在晶体衬底上获得半导体-极性氮化物层,该半导体-极性氮化物由以下材料中的至少一种获得:镓(ga),铟(in)和铝(al。)