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一种GaAs-锑烯异质结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明属于太阳能电池的技术领域,公开了一种GaAs‑锑烯异质结太阳电池及其制备方法。所述GaAs‑锑烯异质结太阳能电池由下至上依次包括背电极、GaAs衬底、锑烯层、顶电极。本发明通过在GaAs片上通过分子束外延方式直接生长二维原子晶体材料锑烯,制备的太阳电池具有GaAs/锑烯异质结,锑烯层与GaAs之间形成良好的带隙匹配,实现太阳能电池高的光电转换效率。

著录项

  • 公开/公告号CN108807584A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201810538952.7

  • 发明设计人 张曙光;温雷;

    申请日2018-05-30

  • 分类号

  • 代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈智英

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2023-06-19 07:11:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/07 申请日:20180530

    实质审查的生效

  • 2018-11-13

    公开

    公开

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