使用旋转光束激光刻划工艺及等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法

摘要

描述了切割半导体晶片的方法，每个晶片具有多个集成电路。在一示例中，一种切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及：在该半导体晶片上方形成掩模，该掩模由覆盖且保护集成电路的一层组成。接着利用旋转激光光束激光刻划工艺图案化该掩模，以提供具有间隙的经图案化掩模，暴露该半导体晶片的集成电路之间的区域。接着穿过该经图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻该半导体晶片以将集成电路切单。