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提供用于动态随机存取存储器DRAM高速缓存标记的空间高效存储

摘要

本发明为提供用于动态随机存取存储器DRAM高速缓存标记的空间高效存储。在一个方面,DRAM高速缓存管理电路提供多个高速缓存条目,其每一者含有标记存储区域、数据存储区域及错误保护区域。所述DRAM高速缓存管理电路经配置以将待高速缓存的数据存储在每一高速缓存条目的所述数据存储区域中。所述DRAM高速缓存管理电路还经配置为使用错误检测码EDC而非错误校正码ECC且将每一高速缓存条目的标记及所述EDC存储于所述高速缓存条目的所述错误保护区域中。以此方式,可通过避免对于每一高速缓存条目的所述标记存储区域的需要,同时仍提供对于所述高速缓存条目的错误检测来增加DRAM高速缓存的容量。

著录项

  • 公开/公告号CN108780424A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201780016893.0

  • 申请日2017-03-03

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人杨林勳

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 07:08:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F12/0895 申请日:20170303

    实质审查的生效

  • 2018-11-09

    公开

    公开

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