机译:对于具有双倍数据速率运行动态随机存取存储器(ddr dram)的输出电路,具有双倍数据速率运行动态随机存取存储器(ddr dram)的输出电路,该方法用于从时钟中以两倍数据速率读取数据运行动态随机存取存储器(ddr dram)
公开/公告号DE10084993B3
专利类型
公开/公告日2013-03-21
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;
申请/专利号DE2000184993
发明设计人 WEN LI;
申请日2000-08-31
分类号G11C7/10;G11C11/407;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 16:22:42