法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G06T7/00 申请日:20180518
实质审查的生效
2018-11-06
公开
公开
机译: 从晶圆保持部件中跳出的方法,晶圆中的部分裂纹的检测方法,在CMP装置中晶圆中的跳出的方法,CMP装置中晶圆中的部分裂纹的检测方法以及在晶圆中的部分跳动的检测方法脱离晶圆生产商
机译: 晶圆缺陷测量涉及在两个或多个晶圆温度下,根据测量的散射激光辐射强度测量晶圆表面缺陷的深度
机译: 基于像素的半导体晶圆表面缺陷检测方法,装置和光学头