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FZ硅和制备FZ硅的方法

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摘要

FZ硅，其中所述FZ硅在经过低于900℃的加工温度下的任何加工步骤后都显示出其少数载流子寿命没有降低。制备FZ硅的方法，其包括在大于或等于900℃的退火温度下使FZ硅退火，并在低于900℃的加工温度下加工经退火的FZ硅。

公开/公告号CN108699725A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-23

原文格式PDF
申请/专利权人硅电子股份公司;
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申请/专利号CN201780011747.9
发明设计人 A·胡贝尔;A·伦茨;
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申请日2017-02-02
分类号C30B29/06(20060101);C30B33/02(20060101);C30B13/00(20060101);H01L21/324(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人彭丽丹;过晓东
地址德国慕尼黑
入库时间 2023-06-19 06:54:11

1. FZ硅和制备FZ硅的方法 [P] . 中国专利： CN108699725A . 2018-10-23
2. 多晶硅、FZ单晶硅以及它们的制造方法 [P] . 中国专利： CN107268079A . 2017-10-20
3. FZ POLYCRYSTALLINE SILICON FZ MONOCRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME [P] . KR102284506B1 . 2021-07-30

机译： FZ多晶硅FZ单晶硅及其制造方法
4. FZ POLYCRYSTALLINE SILICON FZ MONOCRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20170114925A . 2017-10-16

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5. How to Prepare FZ Silicon and FZ Silicon [P] . 韩国专利： KR20180115281A . 2018-10-22

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