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一种THM炉及其生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法

摘要

本发明要求保护一种THM炉及其生长碲化镉或碲锌镉单晶体的方法。本发明在THM炉内,设计了两个THM温度场进行了两次晶体生长,有利于提高晶体质量;一个原位退火温场避免了后退火的再次升温过程,节约能源,同时克服了后退火过程中碲或镉气氛扩散带来的成分不均匀,有利于晶体整体性能的提高。

著录项

  • 公开/公告号CN108660512A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-10-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州西奇狄材料科技有限公司;

    申请/专利号CN201810347824.4

  • 发明设计人 吴召平;郑伟;胡耀文;

    申请日2018-04-18

  • 分类号

  • 代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司;

  • 代理人范晴

  • 地址 215151 江苏省苏州市苏州工业园区若水路388号B508室

  • 入库时间 2023-06-19 06:50:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/48 申请日:20180418

    实质审查的生效

  • 2018-10-16

    公开

    公开

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