一种利用分子束外延设备生长大尺度砷化镉薄膜的方法

摘要

本发明属于薄膜制备技术领域，具体一种利用分子束外延设备生长大尺寸砷化镉薄膜的方法。本发明方法，利用云母作为衬底，首先生长碲化镉作为缓冲层，利用砷化镉非晶块体材作为热蒸发源，以较低温度生长砷化镉低温缓冲层,随后在较高温度生长砷化镉薄膜至所需厚度。本发明与现有技术相比，使用经济的云母作为衬底，衬底处理工艺简单，采用非晶砷化镉蒸发源对设备要求低，工艺简单可获得晶圆级单晶薄膜，样品尺寸可达两英寸；薄膜单晶质量好，迁移率高。薄膜单晶质量好，迁移率高。