顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法，首先在衬底基板上依次形成遮光层、缓冲层、非晶硅层、绝缘层及栅极金属层，在所述栅极金属层上图案化形成光阻层，然后采用第一道蚀刻工艺去除所述栅极金属层、绝缘层及非晶硅层上未被光阻层覆盖的部分，由所述非晶硅层得到非晶硅有源层，再对光阻层进行灰化处理，使得光阻层的宽度减小，采用第二道蚀刻工艺去除所述栅极金属层与绝缘层上未被光阻层覆盖的部分，形成栅极与栅极绝缘层并露出所述非晶硅有源层的两端，最后以光阻层、栅极及栅极绝缘层遮蔽层，对所述非晶硅有源层进行离子植入，形成位于非晶硅有源层两端的源漏极掺杂区，可以提升非晶硅器件的载流子迁移率，节省了光罩制程及生产成本。