退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN108538828A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201810171566.9
发明设计人 赖安·M·哈彻;瑞克·森古普塔;克里斯·鲍恩;
申请日2018-03-01
分类号
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人张帆
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 06:29:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20180301
实质审查的生效
2018-09-14
公开
机译: 使用单极半导体器件的逻辑门,集成电路和数字电路
机译: 逻辑门和使用该逻辑门的半导体集成电路器件
机译: 具有使用电阻性和电容性元件区域将模拟电路与数字电路分开的半导体集成电路器件
机译:纳米金属颗粒诱导的16 nm互补金属氧化物半导体器件和数字电路中的特征波动
机译:迈向基于单极或双极聚合物半导体的印刷集成电路
机译:基于印刷聚合物半导体纳米带的逻辑门器件
机译:使用3D堆叠式集成器件的半导体集成电路技术的进步与前景
机译:使用阈值逻辑门的节能数字电路设计。
机译:使用绝热超导器件的可逆逻辑门
机译:半导体器件,单片和混合集成电路热分析软件系统。
机译:使用通用逻辑门的数字电路