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基于NAND闪存的列替换方法、装置和NAND存储设备

摘要

本发明实施例公开了一种基于NAND闪存的列替换方法、装置和NAND存储设备,该方法应用于NAND存储设备,该存储设备包括核心阵列、冗余阵列、核心阵列锁存器、冗余阵列锁存器和坏地址锁存器,坏地址锁存器存储坏地址查找表,坏地址查找表存储核心阵列中坏列的列地址;该方法包括:在写数据时,获取待写入数据的物理地址;根据待写入数据的物理地址和坏地址查找表,判断核心阵列中与待写入数据的物理地址对应的列是否损坏;当判断出损坏时,根据待写入数据的物理地址将待写入的数据通过冗余阵列锁存器写入冗余阵列。本发明实施例能提高读写的速度。

著录项

  • 公开/公告号CN108536389A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京兆易创新科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201710128852.2

  • 发明设计人 苏志强;刘会娟;李建新;

    申请日2017-03-06

  • 分类号G06F3/06(20060101);G11C16/26(20060101);

  • 代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人孟金喆;胡彬

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层

  • 入库时间 2023-06-19 06:28:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F3/06 申请日:20170306

    实质审查的生效

  • 2018-09-14

    公开

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