基于NAND闪存的阈值电压校验方法、装置和NAND存储设备

摘要

本发明实施例公开了一种基于NAND闪存的阈值电压校验方法、装置和NAND存储设备，该方法应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述字线包括虚拟字线和数据字线，每组数据字线与每组虚拟字线相对应，所述方法包括：在对所选存储器单元进行擦除操作时，将所选存储器单元对应的数据字线上的擦除电压，加到与所述数据字线对应的虚拟字线上，以对该虚拟字线对应的存储器单元执行擦除操作。本发明实施例可以防止因虚拟字线对应存储器单元的阈值电压右移对数据字线对应存储器单元的数据读写准确性造成的影响，将虚拟字线对应存储器单元的阈值电压调整到正常范围。