具有倾斜波导端面的光纤-硅光芯片耦合器及制备方法

摘要

本公开提供一种具有倾斜波导端面的光纤‑硅光芯片耦合器，由SOI基片制备而成，包括：衬底层，上表面刻蚀有凹槽；以及波导层，设置于衬底层上，用于光的传导；包括：SiO2波导，设置于衬底层的凹槽的上方；包括：第一SiO2波导，为输入波导，其和外接光纤耦合的波导端面与光传输的方向有一倾角θ，θ＜90°；锥形SiO2波导，一侧与第一SiO2波导相连接，横截面尺寸沿着光传输的方向渐缩；第二SiO2波导，一侧与锥形SiO2波导的另一侧相连接；以及SiO2平板结构，与第二SiO2波导的另一侧相连接；支撑梁，设置于SiO2波导的两侧；以及硅纳米线波导，用于将光耦合并输出，以缓解现有技术中波导与光纤耦合时带宽受限、不利大规模应用、激光反射回光纤强度大易损坏器件等技术问题。