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基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位

摘要

本发明涉及一种基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位,是量子计算处理器的基本单元。所述基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位,其特征在于,它的第一个主自由度分配给写入操作,第二个主自由度分配给读出操作,其中第一和第二主自由度之一是一个自旋电子电荷,而另外一个是一个相位。本发明的晶体管的量子位有相位和电荷两个自由度,在室温下,可以测量量子信号,这给量子计算机的制造和运行提供了重大机遇。本发明量子位是基于自旋单电子电磁场效应晶体管,可以大规模集成制造,有望应用于新一代量子计算机或者传感设备。避免了超导量子位的低温不稳定缺陷。

著录项

  • 公开/公告号CN108491933A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖北工业大学;

    申请/专利号CN201810062085.4

  • 发明设计人 张洪涛;张泽森;

    申请日2018-01-23

  • 分类号

  • 代理机构武汉帅丞知识产权代理有限公司;

  • 代理人朱必武

  • 地址 430068 湖北省武汉市洪山区南李路28号

  • 入库时间 2023-06-19 06:25:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06N99/00 申请日:20180123

    实质审查的生效

  • 2018-09-04

    公开

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