氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备方法，其主要结构是在多孔硅和氧化钨的双层复合结构，依顺序利用磁控溅射镀膜工艺和热退火工艺在多孔硅顶部形成氧化钨纳米线结构，利用半导体异质结效应实现多孔硅对二氧化氮气体灵敏度和选择性的提升，从而制备有良好二氧化氮探测能力的气敏传感器。本发明制备方法制备的传感器利用氧化钨与多孔硅间异质结的影响，提升了多孔硅的气敏性能，在室温下对二氧化氮气体具有较高的灵敏度和较好的选择性，适宜应用在气敏传感器的进一步开发中。同时，这种多孔硅氧化钨复合结构气敏传感器的制备工艺重复性高，具有大规模生产的潜力。