一种降低多晶硅铸锭位错的高效籽晶层

摘要

本发明为一种降低多晶硅铸锭位错的高效籽晶层，包含以下两层结构，底层为SiC层，所述SiC颗粒大小为20‑200目，表层为Si颗粒层，所述Si颗粒大小为20‑80目，所述SiC层颗粒均匀，杂质总量<10ppm，通过喷涂，涂覆等方式粘附在坩埚内底，所述的Si颗粒层颗粒均匀，杂质总量<10ppm，通过喷涂，涂覆等方式粘附在SiC层上，本发明的高效籽晶层，可有效降低由于坩埚导热性差而引起的铸锭位错。