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在利用负性光致抗蚀剂的图案化工艺中LWR改善方法与组合物

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摘要

本发明涉及在半导体制造工艺中利用负性光致抗蚀剂的光致抗蚀剂图案的LWR(Line Width Roughness，线宽粗糙度)改善方法，更详细地说目的在于，为了在负性显影工艺之后确保更高的图案CDU，提供能够改善LWR的组合物与适用方法来改善LWR，进而能够提供比现有的更加优秀的CDU。

公开/公告号CN108475021A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-31

原文格式PDF
申请/专利权人荣昌化学制品株式会社;
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申请/专利号CN201780005284.5
发明设计人李秀珍;金起洪;李昇勋;李昇炫;
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申请日2017-04-26
分类号G03F7/038(20060101);G03F7/16(20060101);G03F7/20(20060101);G03F7/004(20060101);
代理机构11384 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人郑青松
地址韩国庆尚北道
入库时间 2023-06-19 06:20:12

1. 在利用负性光致抗蚀剂的图案化工艺中LWR改善方法与组合物 [P] . 中国专利： CN108475022A . 2018-08-31
2. 在利用负性光致抗蚀剂的图案化工艺中LWR改善方法与组合物 [P] . 中国专利： CN108475021A . 2018-08-31
3. Method and composition for improving LWR in patterning process using negative photoresist [P] . 日本专利： JP2019515350A . 2019-06-06

机译：使用负性光致抗蚀剂在图案化工艺中改善LWR的方法和组合物
4. Method and composition for improving LWR in patterning process using negative photoresist [P] . 日本专利： JP2019518983A . 2019-07-04

机译：使用负性光致抗蚀剂在图案化工艺中改善LWR的方法和组合物
5. Method and composition for improving LWR in patterning step using negative tone photoresist [P] . US11169444B2 . 2021-11-09

机译：使用阴性光致抗蚀剂改善图案化步骤中LWR的方法和组合物