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一种简便快速检测半导体纳米晶中的中间体类物质的方法

摘要

本发明公开了一种简便快速检测半导体纳米晶中的中间体类物质的方法。所述方法以含有元素周期表ⅡB族、ⅢA和IVA族中至少一种金属元素的成分,以及ⅥA族和ⅤA族中至少一种非金属元素的成分为原料,加热反应后,制备得到半导体纳米晶类物质,稀释于惰性有机溶剂中,通过添加极性质子类试剂将中间体类物质转化为魔尺寸纳米簇,再通过紫外可见分光光度计检测光谱的变化来判断中间体类物质是否存在。本发明所述方法通过紫外可见光谱极为方便地确定反应制备半导体纳米晶中是否含有中间体,能够帮助快速鉴别从而得到更纯净的半导体纳米晶,使其更好地应用到发光二极管、太阳能电池等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN108458979A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN201810260117.1

  • 申请日2018-03-27

  • 分类号G01N21/31(20060101);

  • 代理机构北京知呱呱知识产权代理有限公司;

  • 代理人李芙蓉;孙进华

  • 地址 610065 四川省成都市一环路南一段24号

  • 入库时间 2023-06-19 06:18:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/31 申请日:20180327

    实质审查的生效

  • 2018-08-28

    公开

    公开

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