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一种高纯度大尺寸GdB4单晶拓扑半金属材料的制备方法

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摘要

本发明公开了一种高纯度大尺寸GdB

1. 一种高纯度大尺寸GdB4单晶拓扑半金属材料的制备方法 [P] . 中国专利： CN108441954A . 2018-08-24
2. 一种高纯度大尺寸碳化硅单晶及其制备工艺 [P] . 中国专利： CN103757703B . 2016.08.24
3. LARGE-SIZE HIGH-PURITY SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SUBSTRATE, PREPARATION METHOD THEREFOR AND PREPARATION DEVICE THEREOF [P] . 世界知识产权组织专利： WO2020077847A1 . 2020-04-23

机译：大尺寸高纯度碳化硅单晶，基体，制备方法及其制备装置
4. A process for the preparation of single crystals made of highly pure, in particular silicon free gallium arsenide [P] . 德国专利： DE1533379A1 . 1970-02-26

机译：一种由高纯度，特别是无硅砷化镓制成的单晶的制备方法
5. A method for the production of highly pure, crystalline, in particular monocrystalline materials [P] . 德国专利： DE1519892A1 . 1969-02-20

机译：一种生产高纯度晶体，特别是单晶材料的方法