一种加快相变存储器写操作速度的方法

摘要

本发明提供了一种加快相变存储器写操作的方法，其中，提供一相变存储器，在对所述相变存储器中连续的多个写操作地址进行写操作时执行下述步骤：将当前的所述写操作地址作为当前地址并进行写操作；对所述当前地址后续的所述写操作地址依次进行预加热处理；当完成对所述当前地址的写操作后，转向下一个所述写操作地址，进行写操作，直至对所有所述写操作地址的写操作均执行完毕为止；有益效果：采用预加热技术对第一个地址之后的后续地址依次进行预先加热，使这些后续的地址在准备开始写入时就已经达到了所需的温度并可直接进行相关操作，从而大大节省了写入时间，加快了写入速度。