首页> 中国专利> 一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法

一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法。该方法提供了NC‑MOSFET的剖面结构，在传统MOSFET的金属栅极上添加一层氧化铪（HfO）作为铁电材料，实现负电容的集成制作。建立了NC‑MOSFET的串联等效电容模型，解析了器件的性能参数与负电容的数学关系，并根据电容分压原理，推导内部栅极的电压，明晰了内部电压放大的机制，通过计算

著录项

公开/公告号CN108416179A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-17

原文格式PDF
申请/专利权人杭州电子科技大学;
展开▼

申请/专利号CN201810465594.1
发明设计人吕伟锋;
展开▼

申请日2018-05-16
分类号
代理机构杭州千克知识产权代理有限公司;
代理人周希良
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
入库时间 2023-06-19 06:13:14

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-09-11

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20180516

实质审查的生效
2018-08-17

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法 [P] . 中国专利： CN108416179B . 2021.09.07
2. 一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法 [P] . 中国专利： CN108416179A . 2018-08-17
3. A method of making a semiconductor device with a field effect transistor with a slightly doped source - and drain layers [P] . 德国专利： DE69421607T2 . 2000-06-08

机译：一种具有场效应晶体管的半导体器件的制造方法，该场效应晶体管具有稍微掺杂的源极层和漏极层
4. A process for the reduction in the contact resistances in organic field effect transistors by applying a reactive, the organic semiconductor layer in the region of contact regions - selectively be doped intermediate layer [P] . 德国专利： DE10153656A1 . 2003-05-22

机译：一种通过在接触区域的区域中施加反应性有机半导体层来降低有机场效应晶体管中的接触电阻的方法-选择性地掺杂中间层
5. Silicon-doped layer manufacturing method for field effect transistor, involves forming semiconductor layer in recess to produce tensile strain in transistor channel region, and forming top coating on layer and silicon-doped layer on coating [P] . 德国专利： DE102006009225A1 . 2007-08-30

机译：用于场效应晶体管的硅掺杂层的制造方法，包括在凹槽中形成半导体层以在晶体管沟道区中产生拉伸应变，以及在该层上形成顶涂层以及在涂层上形成硅掺杂层